Alumina-keramiek voor halfgeleiders
Alumina-keramiekworden veel gebruikt in diverse componenten van apparatuur voor de productie van halfgeleiders. In apparatuur voor chemische dampdepositie (CVD) bijvoorbeeld zijn de componenten van de reactiekamer, gemaakt van aluminiumoxidekeramiek, bestand tegen zware omstandigheden zoals hoge temperaturen en chemische corrosie, waardoor de stabiliteit en consistentie van het reactieproces worden gewaarborgd. In lithografieapparatuur,aluminiumoxide keramiekworden gebruikt voor de productie van optische platformen en dragende componenten met een hoge precisie. Hun hoge hardheid en maatvastheid dragen bij aan de nauwkeurigheid en herhaalbaarheid van lithografie.
Naarmate halfgeleiderapparaten steeds kleiner worden en hogere prestaties leveren, worden ook de eisen aan elektronische verpakkingsmaterialen steeds hoger.Alumina-keramiekhebben een goede thermische geleidbaarheid, elektrische isolatie en mechanische eigenschappen, waardoor de door de chip gegenereerde warmte effectief kan worden afgevoerd en de chip tegelijkertijd wordt beschermd tegen externe omgevingsinvloeden. Bijvoorbeeld in meerlaagse keramische verpakkingen (MLCC),aluminiumoxide keramiekdient als substraatmateriaal en zorgt voor betrouwbare elektrische verbindingen en fysieke ondersteuning voor de chip.
Alumina-keramiekhebben een uitstekende chemische stabiliteit en hoge temperatuurbestendigheid, waardoor ze een ideaal materiaal zijn voor de productie van halfgeleidersensoren. Bijvoorbeeld in gassensoren,aluminiumoxide keramiekZe dienen als dragers voor gevoelige componenten, die stabiel kunnen werken in zware omstandigheden zoals hoge temperaturen en hoge luchtvochtigheid, en beschikken over een hoge gevoeligheid en selectieve detectiemogelijkheden voor specifieke gassen. Bij druksensoren zijn de hoge mechanische sterkte en stabiliteit vanaluminiumoxide keramiekkan garanderen dat de sensor drukveranderingen nauwkeurig kan meten, zelfs onder langdurige stressomstandigheden.
Dealuminiumoxide keramiekEen planaire spiraalspoel, gemaakt met halfgeleidertechnologie, kan de eigen harmonische frequentie van de spoel verhogen. Door een single-ended netwerkanalysator te gebruiken om de S-waarde te testen, kunnen de inductantie- en Q-waarden worden afgeleid. Onderzoek heeft aangetoond dat elektrodeparameters zoals elektrodebreedte, elektrode-afstand, elektrodewindingen en spoelradius een aanzienlijke invloed hebben op de inductantiewaarde en kwaliteitsfactor. In het laagfrequente bereik zijn de testresultaten consistent met de simulatieresultaten, maar naarmate de frequentie toeneemt, neemt het verschil toe vanwege het parasitaire effect van de testsonde.